Mètodes de mecanitzat àmpliament utilitzats actualment com el tall, la mòlta, el polit, etc., a causa de l'existència de microesquerdes en els materials processats o els defectes de qualitat en la cristal·lització, sense importar com millorar la precisió del mecanitzat i millorar l'equip de mecanitzat, sempre hi ha certes limitacions. El professor Mori Yongzheng, de la Facultat d'Enginyeria de la Universitat d'Osaka, Japó, va proposar un nou mètode de processament amb gas químic, anomenat mètode CVM de plasma, que és una tecnologia que utilitza reaccions químiques atòmiques per obtenir superfícies ultraprecises. El seu principi de processament Igual que el gravat amb plasma, al plasma, els radicals lliures activats reaccionen amb la superfície de la peça, convertint-los en molècules volàtils, i el processament es realitza per evaporació de gas i el plasma es genera a alta pressió. , capaç de generar densitats molt elevades
radicals lliures, de manera que aquest mètode de processament pot aconseguir velocitats de processament comparables als mètodes de processament mecànic.
A altes pressions, el plasma es limita a prop dels elèctrodes a causa del camí lliure mitjà extremadament petit de les molècules de gas. Així que es pot processar mitjançant l'escaneig d'elèctrodes, O. Les peces de qualsevol forma amb una precisió de 01 μm també poden processar un pla de silici de cristall únic a una velocitat de 50 μm/min, i la rugositat superficial de la peça processada pot arribar a 0,1 nm (Rrms).
En el proper segle, la tecnologia CVM s'aplicarà en molts camps com el processament de xips de silici i el processament de lents asfèriques per a dispositius d'exposició de semiconductors. Actualment, algunes persones estan estudiant la combinació de CVM i EEM per processar àtoms com ara miralls de raigs X per a sincrotrons. Una superfície plana arbitrària.